スパッタリング– category –

スパッタマグネトロンは、薄膜を作るスパッタリングで、ターゲット付近のプラズマを磁場によって制御する成膜源です。原理の要点は、磁場で電子の運動を制御し、ガスの電離を促すことにあります。磁石が成膜材料を直接引き寄せて基板へ運ぶ装置ではありま...

スパッタリングは、プラズマ中のイオンで材料をたたき出し、基板に薄膜を付けるPVD（物理気相成長）の一種です。材料や膜構造を選ぶ自由度がある一方、得られる品質と生産性には条件があります。本記事では、メリットと制約を、必要な膜の仕様に結びつけて...

スパッタリングでは、チャンバーを排気したうえで、必要なガスを供給して成膜します。低い圧力を作ることと、成膜中の圧力・ガスの状態を制御することは同じではありません。ここでは到達圧力、成膜圧力、残留ガスを分けて、真空管理と膜品質の関係を整理...

スパッタリングは、イオンを固体のターゲットへ衝突させ、放出された材料を基板へ堆積させる成膜法です。ターゲットは材料の供給元、基板は膜を作る側であり、両者を区別すると装置の仕組みを読みやすくなります。代表的な放電プラズマを使う装置を中心に...

スパッタリングターゲットを適切に使うには、装置が許す条件と交換基準を守り、消耗と膜品質を記録します。寿命を延ばすことだけを目的に使い切るのではなく、ターゲット、ボンディング部、成膜結果のどこが使用限界になるかを分けて管理します。 ターゲッ...

スパッタリングターゲットは、膜の材料を供給する原料部品です。ターゲットへイオンを衝突させ、放出された原子などを基板へ堆積させます。高品質な膜には、ターゲットの材料と状態だけでなく、装置と成膜条件の適合も必要です。材料の作り方と品質の関係...

スパッタリングと真空蒸着は、どちらも真空装置を使って基板上に薄膜を作るPVDの方法です。大きな違いは、スパッタはイオン衝撃、真空蒸着は原料の蒸発を使って材料を放出することにあります。本記事では、原料と基板を分けて原理を整理し、膜質・形状・温...

スパッタリングは、ターゲットへイオンを衝突させ、放出された材料を基板へ堆積させる成膜技術です。半導体の金属膜や絶縁膜などに利用されます。ここでは一般的な放電型の構成を主に、材料の移動、方式の分類と膜品質の評価を説明します。 ターゲットから...